Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SIA929DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Özelliği | Logic Level Gate |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 30V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 4.5A (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 575pF @ 15V |
| Maksimum güç | 7.8W |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA920DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA921EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA921EDJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA922EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6 | - | 6000 | ayrıntılar |
 |
SIA922EDJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V SMD | - | 21006 | ayrıntılar |
 |
SIA923AEDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L | 0 | ayrıntılar | |
 |
SIA923EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
|
SIA923EDJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V SC-70-6 | - | 21008 | ayrıntılar |
 |
SIA928DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SC70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA929DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6 | - | 0 | ayrıntılar |