| номер части | SIA929DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | 2 P-Channel (Dual) |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 575pF @ 15V |
| Мощность - макс. | 7.8W |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA920DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70 | - | 0 | подробности |
 |
SIA921EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | подробности |
 |
SIA921EDJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | подробности |
 |
SIA922EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6 | - | 6000 | подробности |
 |
SIA922EDJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V SMD | - | 21006 | подробности |
 |
SIA923AEDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L | 0 | подробности | |
 |
SIA923EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6 | - | 0 | подробности |
|
SIA923EDJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V SC-70-6 | - | 21008 | подробности |
 |
SIA928DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SC70-6 | - | 0 | подробности |
 |
SIA929DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6 | - | 0 | подробности |
