Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SIA915DJ-T4-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Obsolete |
| FET Tipi | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Özelliği | Standard |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 30V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 3.7A (Ta), 4.5A (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 87 mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 15V |
| Maksimum güç | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA911ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA911DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA911DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA911EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA912DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA913ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA913DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA914ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L | - | 9000 | ayrıntılar |
 |
SIA914DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA914DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA915DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L | - | 0 | ayrıntılar |