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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIA915DJ-T4-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Ta), 4.5A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 87 mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 15V |
| Leistung max | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA911ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA911DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA911DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA911EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA912DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA913ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA913DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA914ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L | - | 9000 | Einzelheiten |
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SIA914DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA914DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA915DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L | - | 0 | Einzelheiten |