Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SI5440DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 30V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 6A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 9.1A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 1206-8 ChipFET™ |
| Paket / Durum | 8-SMD, Flat Lead |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5440DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5441BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5441BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5441DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5441DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5442DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET | - | 9000 | ayrıntılar |
 |
SI5443DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5443DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5445BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5445BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5446DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 25A CHIPFET | - | 239726 | ayrıntılar |
 |
SI5447DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |