| номер части | SI5440DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 9.1A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 1206-8 ChipFET™ |
| Упаковка / чехол | 8-SMD, Flat Lead |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5440DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5441BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5441BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5441DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5441DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5442DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET | - | 9000 | подробности |
 |
SI5443DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5443DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5445BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5445BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5446DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 25A CHIPFET | - | 239726 | подробности |
 |
SI5447DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8 | - | 0 | подробности |
