SI4413DDY-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 8SOIC
SI4413DDY-T1-GE3 P1
SI4413DDY-T1-GE3 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Siliconix ~ SI4413DDY-T1-GE3

Parça numarası
SI4413DDY-T1-GE3
Üretici firma
Vishay Siliconix
Açıklama
MOSFET P-CHANNEL 8SOIC
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- SI4413DDY-T1-GE3 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası SI4413DDY-T1-GE3
Parça Durumu Active
FET Tipi P-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) -
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
Vgs (Maks.) -
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 4780pF @ 15V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) -
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 125°C
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi 8-SOIC
Paket / Durum 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ilgili ürünler

Tüm ürünler