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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI4413DDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4780pF @ 15V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI4413ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4413ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4413CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4413DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 8SOIC | - | 63926 | Einzelheiten |