SI3585CDV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
SI3585CDV-T1-GE3 P1
SI3585CDV-T1-GE3 P2
SI3585CDV-T1-GE3 P1
SI3585CDV-T1-GE3 P2
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Siliconix ~ SI3585CDV-T1-GE3

Parça numarası
SI3585CDV-T1-GE3
Üretici firma
Vishay Siliconix
Açıklama
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- SI3585CDV-T1-GE3 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Diziler
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası SI3585CDV-T1-GE3
Parça Durumu Active
FET Tipi N and P-Channel
FET Özelliği Logic Level Gate
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 20V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 3.9A, 2.1A
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V
Maksimum güç 1.4W, 1.3W
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tedarikçi Aygıt Paketi 6-TSOP

ilgili ürünler

Tüm ürünler