Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI3585CDV-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.9A, 2.1A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 10V |
| Leistung max | 1.4W, 1.3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3585CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SI3585DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SI3585DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP | - | 0 | Einzelheiten |