Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | GL41AHE3/96 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Diyot Türü | Standard |
| Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) | 50V |
| Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) | 1A |
| Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If | 1.1V @ 1A |
| hız | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Geri Tutma Süresi (trr) | - |
| Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr | 10µA @ 50V |
| Kapasitans @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | DO-213AB |
| Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı | -65°C ~ 175°C |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GL4100 | Sharp Microelectronics | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL | 0 | ayrıntılar | |
 |
GL4100E0000F | Sharp Microelectronics | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL | 0 | ayrıntılar | |
 |
GL41A-E3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
GL41A-E3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 10000 | ayrıntılar |
 |
GL41A/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
GL41AHE3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
GL41AHE3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
GL41B-E3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
GL41B-E3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
GL41B/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
GL41BHE3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
GL41BHE3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | - | 0 | ayrıntılar |