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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | GL41AHE3/96 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Lieferantengerätepaket | DO-213AB |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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GL4100 | Sharp Microelectronics | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL | 0 | Einzelheiten | |
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GL4100E0000F | Sharp Microelectronics | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL | 0 | Einzelheiten | |
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GL41A-E3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 0 | Einzelheiten |
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GL41A-E3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 10000 | Einzelheiten |
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GL41A/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 0 | Einzelheiten |
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GL41AHE3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 0 | Einzelheiten |
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GL41AHE3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 0 | Einzelheiten |
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GL41B-E3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | - | 0 | Einzelheiten |
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GL41B-E3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | - | 0 | Einzelheiten |
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GL41B/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | - | 0 | Einzelheiten |
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GL41BHE3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | - | 0 | Einzelheiten |
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GL41BHE3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | - | 0 | Einzelheiten |