6N139(F)

OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8DIP
6N139(F) P1
6N139(F) P2
6N139(F) P1
6N139(F) P2
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ 6N139(F)

Parça numarası
6N139(F)
Üretici firma
Toshiba Semiconductor and Storage
Açıklama
OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8DIP
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- 6N139(F) PDF online browsing
Aile
Optoizolatörler - Transistör, Fotovoltaik Çıkış
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası 6N139(F)
Parça Durumu Active
Kanal Sayısı 1
Gerilim - İzolasyon 2500Vrms
Geçerli Aktarım Oranı (Min) 500% @ 1.6mA
Geçerli Aktarım Oranı (Maks) -
Açma / Kapatma Süresini (Tipi) Açma / Kapatma 200ns, 1µs
Yükseliş / Düşme Saati (Tip) -
Giriş tipi DC
Çıktı Türü Darlington with Base
Gerilim - Çıktı (Maks.) 18V
Akım - Çıkış / Kanal 60mA
Gerilim - İleri (Vf) (Tip) 1.65V
Akım - DC Forward (If) (Maks.) 20mA
Vce Doygunluk (Maks) -
Çalışma sıcaklığı 0°C ~ 70°C
Montaj tipi Through Hole
Paket / Durum 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Tedarikçi Aygıt Paketi 8-DIP

ilgili ürünler

Tüm ürünler