6N139(F)

OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8DIP
6N139(F) P1
6N139(F) P2
6N139(F) P1
6N139(F) P2
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 6N139(F)

Número de pieza
6N139(F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8DIP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- 6N139(F) PDF online browsing
Familia
Optoaisladores - Transistor, salida fotovoltaica
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Número de pieza 6N139(F)
Estado de la pieza Active
número de canales 1
Voltaje - Aislamiento 2500Vrms
Ratio de transferencia actual (Min) 500% @ 1.6mA
Ratio de transferencia actual (máximo) -
Tiempo de encendido / apagado (Tipo) 200ns, 1µs
Tiempo de subida / bajada (Tipo) -
Tipo de entrada DC
Tipo de salida Darlington with Base
Voltaje - Salida (Máx) 18V
Corriente - Salida / Canal 60mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) 1.65V
Current - DC Forward (If) (Max) 20mA
Saturación de Vce (Máx) -
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-DIP

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