HERF1007GAHC0G

DIODE HIGH EFFICIENT
HERF1007GAHC0G P1
HERF1007GAHC0G P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Taiwan Semiconductor Corporation ~ HERF1007GAHC0G

Parça numarası
HERF1007GAHC0G
Üretici firma
Taiwan Semiconductor Corporation
Açıklama
DIODE HIGH EFFICIENT
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- HERF1007GAHC0G PDF online browsing
Aile
Diyotlar - Doğrultucular - Tek
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası HERF1007GAHC0G
Parça Durumu Active
Diyot Türü Standard
Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) 800V
Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) 10A
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If 1.7V @ 5A
hız Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Tutma Süresi (trr) 80ns
Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr 10µA @ 800V
Kapasitans @ Vr, F 40pF @ 4V, 1MHz
Montaj tipi Through Hole
Paket / Durum TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Tedarikçi Aygıt Paketi ITO-220AB
Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı -55°C ~ 150°C

ilgili ürünler

Tüm ürünler