HERF1007GAHC0G

DIODE HIGH EFFICIENT
HERF1007GAHC0G P1
HERF1007GAHC0G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Taiwan Semiconductor Corporation ~ HERF1007GAHC0G

Artikelnummer
HERF1007GAHC0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
DIODE HIGH EFFICIENT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Artikelnummer HERF1007GAHC0G
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 800V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 5A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 80ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 10µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F 40pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Lieferantengerätepaket ITO-220AB
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C

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