Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | RQ3E100MNTB1 |
|---|---|
| Parça Durumu | Not For New Designs |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 30V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 10A (Ta) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.9nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 15V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 2W (Ta) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 12.3 mOhm @ 10A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 8-HSMT (3.2x3) |
| Paket / Durum | 8-PowerVDFN |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3E070BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8 | - | 3000 | ayrıntılar |
 |
RQ3E075ATTB | Rohm Semiconductor | PCH -30V -18A MIDDLE POWER MOSFE | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | - | 3000 | ayrıntılar |
 |
RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8 | - | 3000 | ayrıntılar |
 |
RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 | 0 | ayrıntılar | |
 |
RQ3E120GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT | - | 3000 | ayrıntılar |
 |
RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 | 0 | ayrıntılar | |
 |
RQ3E130MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 | 6000 | ayrıntılar |