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| Número de pieza | RQ3E100MNTB1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.9nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3 mOhm @ 10A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-HSMT (3.2x3) |
| Paquete / caja | 8-PowerVDFN |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RQ3E070BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8 | - | 3000 | Detalles |
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RQ3E075ATTB | Rohm Semiconductor | PCH -30V -18A MIDDLE POWER MOSFE | - | 0 | Detalles |
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RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 | - | 0 | Detalles |
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RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT | - | 0 | Detalles |
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RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | - | 0 | Detalles |
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RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT | - | 0 | Detalles |
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RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | - | 3000 | Detalles |
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RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8 | - | 3000 | Detalles |
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RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 | 0 | Detalles | |
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RQ3E120GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT | - | 3000 | Detalles |
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RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 | 0 | Detalles | |
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RQ3E130MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 | 6000 | Detalles |