BSM120D12P2C005

MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
BSM120D12P2C005 P1
BSM120D12P2C005 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Rohm Semiconductor ~ BSM120D12P2C005

Parça numarası
BSM120D12P2C005
Üretici firma
Rohm Semiconductor
Açıklama
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
BSM120D12P2C005.pdf BSM120D12P2C005 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Diziler
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası BSM120D12P2C005
Parça Durumu Active
FET Tipi 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Özelliği Standard
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 1200V (1.2kV)
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 120A
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 22mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 10V
Maksimum güç 780W
Çalışma sıcaklığı -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi -
Paket / Durum Module
Tedarikçi Aygıt Paketi Module

ilgili ürünler

Tüm ürünler