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| Numero di parte | BSM120D12P2C005 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 22mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 10V |
| Potenza - Max | 780W |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BSM120D12P2C005 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | 69 | Dettagli |