Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | PHN203,518 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği | Logic Level Gate |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 30V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 6.3A |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.6nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 20V |
| Maksimum güç | 2W |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 8-SO |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PHN203,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1 | 0 | ayrıntılar | |
 |
PHN210,118 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
PHN210T,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC | 2500 | ayrıntılar |