| номер части | PHN203,518 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6.3A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 14.6nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 560pF @ 20V |
| Мощность - макс. | 2W |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PHN203,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1 | 0 | подробности | |
 |
PHN210,118 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC | - | 0 | подробности |
 |
PHN210T,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC | 2500 | подробности |
