MDS1100

TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1
MDS1100 P1
MDS1100 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Microsemi Corporation ~ MDS1100

Parça numarası
MDS1100
Üretici firma
Microsemi Corporation
Açıklama
TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- MDS1100 PDF online browsing
Aile
Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası MDS1100
Parça Durumu Active
Transistör Tipi NPN
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) 65V
Frekans - Geçiş 1.03GHz
Gürültü Şekli (dB Typ @ f) -
Kazanç 8.9dB
Maksimum güç 8750W
DC Akım Kazancı (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5A, 5V
Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) 100A
Çalışma sıcaklığı 200°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum 55TU-1
Tedarikçi Aygıt Paketi 55TU-1

ilgili ürünler

Tüm ürünler