MDS1100

TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1
MDS1100 P1
MDS1100 P1
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Microsemi Corporation ~ MDS1100

Numéro d'article
MDS1100
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
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Numéro d'article MDS1100
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 65V
Fréquence - Transition 1.03GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) -
Gain 8.9dB
Puissance - Max 8750W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5A, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Température de fonctionnement 200°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 55TU-1
Package de périphérique fournisseur 55TU-1

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