Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | IRL60HS118 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 60V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 18.5A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 25V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 11.5W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 11A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 6-PQFN (2x2) |
| Paket / Durum | 6-VDFN Exposed Pad |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL60B216 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A | 1296 | ayrıntılar | |
 |
IRL60HS118 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN | 0 | ayrıntılar | |
 |
IRL60S216 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A | 800 | ayrıntılar | |
 |
IRL60SL216 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A | 774 | ayrıntılar | |
 |
IRL610A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220 | 0 | ayrıntılar | |
 |
IRL620 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRL620PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB | - | 921 | ayrıntılar |
 |
IRL620S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRL620SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | - | 397 | ayrıntılar |
 |
IRL620STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRL620STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRL620STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |