Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRL60HS118 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 10µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 11.5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 11A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-PQFN (2x2) |
| Paket / Fall | 6-VDFN Exposed Pad |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL60B216 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A | 1296 | Einzelheiten | |
 |
IRL60HS118 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRL60S216 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A | 800 | Einzelheiten | |
 |
IRL60SL216 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A | 774 | Einzelheiten | |
 |
IRL610A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRL620 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IRL620PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB | - | 921 | Einzelheiten |
 |
IRL620S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IRL620SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | - | 397 | Einzelheiten |
 |
IRL620STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IRL620STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IRL620STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |