IPI80CN10N G

MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
IPI80CN10N G P1
IPI80CN10N G P2
IPI80CN10N G P3
IPI80CN10N G P1
IPI80CN10N G P2
IPI80CN10N G P3
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ IPI80CN10N G

Parça numarası
IPI80CN10N G
Üretici firma
Infineon Technologies
Açıklama
MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
IPI80CN10N G.pdf IPI80CN10N G PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası IPI80CN10N G
Parça Durumu Obsolete
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 100V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 13A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 716pF @ 50V
Vgs (Maks.) ±20V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 31W (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 13A, 10V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj tipi Through Hole
Tedarikçi Aygıt Paketi PG-TO262-3
Paket / Durum TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

ilgili ürünler

Tüm ürünler