IPD50R800CE

MOSFET N CH 500V 5A TO252
IPD50R800CE P1
IPD50R800CE P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ IPD50R800CE

Parça numarası
IPD50R800CE
Üretici firma
Infineon Technologies
Açıklama
MOSFET N CH 500V 5A TO252
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
IPD50R800CE.pdf IPD50R800CE PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası IPD50R800CE
Parça Durumu Discontinued at Digi-Key
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 500V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 5A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) 13V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.4nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 100V
Vgs (Maks.) ±20V
FET Özelliği Super Junction
Güç Dağılımı (Maks.) 40W (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 1.5A, 13V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PG-TO252-3
Paket / Durum TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ilgili ürünler

Tüm ürünler