IPB530N15N3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
IPB530N15N3GATMA1 P1
IPB530N15N3GATMA1 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ IPB530N15N3GATMA1

Parça numarası
IPB530N15N3GATMA1
Üretici firma
Infineon Technologies
Açıklama
MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
IPB530N15N3GATMA1.pdf IPB530N15N3GATMA1 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası IPB530N15N3GATMA1
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 150V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 21A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) 8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 887pF @ 75V
Vgs (Maks.) ±20V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 68W (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 53 mOhm @ 18A, 10V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PG-TO263-2
Paket / Durum TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ilgili ürünler

Tüm ürünler