Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPB530N15N3GATMA1

номер части: IPB530N15N3GATMA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: IPB530N15N3GATMA1.pdf IPB530N15N3GATMA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	IPB530N15N3GATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	150V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	21A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	12nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	887pF @ 75V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	68W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	53 mOhm @ 18A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-2
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Образ	номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
	IPB530N15N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3		0	подробности