IPB065N15N3 G

MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
IPB065N15N3 G P1
IPB065N15N3 G P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ IPB065N15N3 G

Parça numarası
IPB065N15N3 G
Üretici firma
Infineon Technologies
Açıklama
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- IPB065N15N3 G PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası IPB065N15N3 G
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 150V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 130A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) 8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 7300pF @ 75V
Vgs (Maks.) ±20V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 300W (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 100A, 10V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PG-TO263-7
Paket / Durum TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

ilgili ürünler

Tüm ürünler