Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | IPB065N03LGATMA1 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 30V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 15V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 56W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Durum | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB065N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | - | 6000 | ayrıntılar |
 |
IPB065N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | - | 107732 | ayrıntılar |
 |
IPB065N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | 0 | ayrıntılar | |
 |
IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | 0 | ayrıntılar | |
 |
IPB065N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | - | 8000 | ayrıntılar |
 |
IPB065N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | - | 17709 | ayrıntılar |
 |
IPB065N15N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | - | 0 | ayrıntılar |