SQR50N04-3M8_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40V 50A DPAK
SQR50N04-3M8_GE3 P1
SQR50N04-3M8_GE3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SQR50N04-3M8_GE3

номер части
SQR50N04-3M8_GE3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A DPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SQR50N04-3M8_GE3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SQR50N04-3M8_GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 105nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 6700pF @ 25V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 136W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика D-PAK (TO-252)
Упаковка / чехол TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)

сопутствующие товары

Все продукты