номер части | SQR50N04-3M8_GE3 |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 40V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 6700pF @ 25V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 136W (Tc) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет устройств поставщика | D-PAK (TO-252) |
Упаковка / чехол | TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) |