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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | SQR50N04-3M8_GE3 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 40V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 50A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6700pF @ 25V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 136W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252) |
パッケージ/ケース | TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) |