| номер части | SIE806DF-T1-E3 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 60A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 13000pF @ 15V |
| Vgs (Макс.) | ±12V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 25A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 10-PolarPAK® (L) |
| Упаковка / чехол | 10-PolarPAK® (L) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIE800DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK | - | 0 | подробности |
 |
SIE800DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK | - | 0 | подробности |
 |
SIE802DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | - | 0 | подробности |
 |
SIE802DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | - | 0 | подробности |
 |
SIE804DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK | - | 0 | подробности |
 |
SIE806DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | - | 0 | подробности |
 |
SIE806DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | - | 0 | подробности |
 |
SIE808DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK | - | 6000 | подробности |
 |
SIE808DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK | - | 0 | подробности |
