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| Número de pieza | SIE806DF-T1-E3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 25A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 10-PolarPAK® (L) |
| Paquete / caja | 10-PolarPAK® (L) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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