Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SIA427DJ-T1-GE3

номер части: SIA427DJ-T1-GE3
производитель: Vishay Siliconix
Описание: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: SIA427DJ-T1-GE3.pdf SIA427DJ-T1-GE3 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	SIA427DJ-T1-GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	8V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	12A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	50nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2300pF @ 4V
Vgs (Макс.)	±5V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SC-70-6 Single
Упаковка / чехол	PowerPAK® SC-70-6

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
SIA421DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6	-	3000	подробности
SIA425EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6	-	0	подробности
SIA426DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6	-	0	подробности
SIA427ADJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70	-	0	подробности
SIA427DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6		30000	подробности
SIA429DJT-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 12A SC-70	-	12000	подробности