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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIA427DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 8V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 4V |
| Vgs (Max) | ±5V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIA421DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 | - | 3000 | Einzelheiten |
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SIA425EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA426DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA427ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA427DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6 | 30000 | Einzelheiten | |
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SIA429DJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70 | - | 12000 | Einzelheiten |