| номер части | SI5936DU-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 320pF @ 15V |
| Мощность - макс. | 10.4W |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5933CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5933CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5933DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5933DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5935CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5935CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5935DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5935DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5936DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET | - | 0 | подробности |
 |
SI5938DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK | - | 0 | подробности |
