SI5935CDC-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
SI5935CDC-T1-GE3 P1
SI5935CDC-T1-GE3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SI5935CDC-T1-GE3

номер части
SI5935CDC-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SI5935CDC-T1-GE3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SI5935CDC-T1-GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора 2 P-Channel (Dual)
Функция FET Standard
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 455pF @ 10V
Мощность - макс. 3.1W
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 8-SMD, Flat Lead
Пакет устройств поставщика 1206-8 ChipFET™

сопутствующие товары

Все продукты