GB35XF120K

MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK
GB35XF120K P1
GB35XF120K P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ GB35XF120K

номер части
GB35XF120K
производитель
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание
MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
GB35XF120K.pdf GB35XF120K PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части GB35XF120K
Статус детали Obsolete
Тип IGBT NPT
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 50A
Мощность - макс. 284W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 100µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 3.475nF @ 30V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол ECONO2
Пакет устройств поставщика -

сопутствующие товары

Все продукты