GB35XF120K

MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK
GB35XF120K P1
GB35XF120K P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ GB35XF120K

Artikelnummer
GB35XF120K
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Produktparameter

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Artikelnummer GB35XF120K
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ NPT
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50A
Leistung max 284W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.475nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall ECONO2
Lieferantengerätepaket -

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