Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN1444ATE85LF

номер части: RN1444ATE85LF
производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: - RN1444ATE85LF PDF online browsing
семья: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые

номер части	RN1444ATE85LF
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	300mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	20V
Резистор - основание (R1) (Ом)	2.2k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом)	-
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	200 @ 4mA, 2V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	100mV @ 3mA, 30mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	100nA (ICBO)
Частота - переход	30MHz
Мощность - макс.	200mW
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика	S-Mini

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
RN1441ATE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	-	3000	подробности
RN1442ATE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	-	0	подробности
RN1444ATE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	-	0	подробности