RN1444ATE85LF

TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
RN1444ATE85LF P1
RN1444ATE85LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN1444ATE85LF

Numero di parte
RN1444ATE85LF
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- RN1444ATE85LF PDF online browsing
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
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Numero di parte RN1444ATE85LF
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 4mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 3mA, 30mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 30MHz
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore S-Mini

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