MD51V65165E-50TAZ0AR

IC DRAM 64MBIT 50NS 50TSOP
MD51V65165E-50TAZ0AR P1
MD51V65165E-50TAZ0AR P2
MD51V65165E-50TAZ0AR P1
MD51V65165E-50TAZ0AR P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Rohm Semiconductor ~ MD51V65165E-50TAZ0AR

номер части
MD51V65165E-50TAZ0AR
производитель
Rohm Semiconductor
Описание
IC DRAM 64MBIT 50NS 50TSOP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
MD51V65165E-50TAZ0AR.pdf MD51V65165E-50TAZ0AR PDF online browsing
семья
Память
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MD51V65165E-50TAZ0AR
Статус детали Active
Тип памяти Volatile
Формат памяти DRAM
Технологии DRAM
Размер памяти 64Mb (4M x 16)
Частота часов -
Время цикла записи - слово, страница 84ns
Время доступа 25ns
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 3 V ~ 3.6 V
Рабочая Температура 0°C ~ 70°C (TA)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Пакет устройств поставщика 50-TSOP II

сопутствующие товары

Все продукты