MD51V65165E-50TAZ0AR

IC DRAM 64MBIT 50NS 50TSOP
MD51V65165E-50TAZ0AR P1
MD51V65165E-50TAZ0AR P2
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Rohm Semiconductor ~ MD51V65165E-50TAZ0AR

Artikelnummer
MD51V65165E-50TAZ0AR
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
IC DRAM 64MBIT 50NS 50TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer MD51V65165E-50TAZ0AR
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie DRAM
Speichergröße 64Mb (4M x 16)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 84ns
Zugriffszeit 25ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket 50-TSOP II

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