NTMS4800NR2G

MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
NTMS4800NR2G P1
NTMS4800NR2G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ NTMS4800NR2G

номер части
NTMS4800NR2G
производитель
ON Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- NTMS4800NR2G PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части NTMS4800NR2G
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.9A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 940pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 750mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 7.5A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOIC
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

сопутствующие товары

Все продукты