| номер части | FDB3632_SB82115 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12A (Ta), 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 6000pF @ 25V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 310W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263AB) |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB3632 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | - | 1600 | подробности |
 |
FDB3632-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK | - | 28468 | подробности |
 |
FDB3632_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK | - | 0 | подробности |
 |
FDB3632_SB82115 | ON Semiconductor | INTEGRATED CIRCUIT | - | 7095 | подробности |
 |
FDB3652 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB | - | 4800 | подробности |
 |
FDB3652-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | - | 36700 | подробности |
 |
FDB3652_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | - | 0 | подробности |
 |
FDB3672 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK | - | 0 | подробности |
 |
FDB3672-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK | - | 54150 | подробности |
 |
FDB3672_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK | - | 0 | подробности |
 |
FDB3682 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB | - | 0 | подробности |
