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| Numéro d'article | FDB3632_SB82115 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 310W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
| Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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FDB3632_SB82115 | ON Semiconductor | INTEGRATED CIRCUIT | - | 7095 | Détails |
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