Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ PHT2NQ10T,135

номер части: PHT2NQ10T,135
производитель: NXP USA Inc.
Описание: MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: PHT2NQ10T,135.pdf PHT2NQ10T,135 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	PHT2NQ10T,135
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	2.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	5.1nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	160pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	6.25W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	430 mOhm @ 1.75A, 10V
Рабочая Температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-223
Упаковка / чехол	TO-261-4, TO-261AA

Образ	номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
	PHT2NQ10T,135	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223		0	подробности