номер части | PHT2NQ10T,135 |
---|---|
Статус детали | Obsolete |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 5.1nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 160pF @ 25V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 6.25W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 1.75A, 10V |
Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет устройств поставщика | SOT-223 |
Упаковка / чехол | TO-261-4, TO-261AA |